如何保障芯片封装可靠性与良率 ? 镀膜键合线膜液的有机碳(TOC)含量分析
来源: | 作者:Eric | 发布时间 :2026-04-01 | 18 次浏览: | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:

实验背景

在半导体封装与集成电路制造领域,电子设备向小型化、高性能及高集成度发展,对封装技术要求日益严苛。键合线作为芯片内部电路与外部引脚电气连接的关键材料,其性能关乎电子器件的可靠性、稳定性与电学性能。

传统键合线材料在面对新应用需求时出现局限性,如特殊环境下易腐蚀、导电性能不足等,所以探索新型材料与优化制备工艺成为行业重要课题。


检测物质

  • 来源:

键合线是用于芯片和封装基板间建立电气连接的微细金属丝或带材,直径通常在几微米到几十微米,以适应高密度引脚需求。它借助热压、超声或热超声等键合工艺,与芯片焊盘和封装基板引脚形成牢固的电气与机械连接。常见材料有金线、铜线、银线及合金线等,不同材料特性各异,可根据应用场景和性能要求选择。

  • 影响机制:

键合线在生产过程中会引入有机杂质,总有机碳(TOC)作为衡量水中有机物质含量的综合指标,对键合线质量影响重大。

尤其在键合线镀膜后,高含量的有机污染物会严重影响镀膜质量与键合性能。它会干扰涂层的均匀性,导致涂层厚薄不一;削弱涂层与键合线基体的附着力,使涂层容易剥落;还会降低键合的可靠性,引发键合界面出现空洞、裂纹等缺陷。而准确测试半导体封装用镀膜键合线及其制备所用镀膜溶液的TOC含量,能有效控制生产过程中的有机污染,保障镀膜质量稳定,确保键合性能可靠,进而提高半导体器件的可靠性与良品率。

本文使用总有机碳分析仪TOC-5000 RD,分别采用直接法测试镀膜溶液的含量,同时进通过对其进行加标回收实验对比测试效果。

核心氧化原理

高温催化氧化(680℃)

检测限

TC: 50 μg/L; IC: 20 μg/L

测量范围

0-1000 mg/L,可拓展至0-100000 mg/L

关键自动化功能

 自动稀释(1-100倍)、自动加酸、自动吹扫

半导体行业适用性

优势明显:宽浓度范围兼顾镀膜液与清洗水检测;自动化高,适合批量质检。

性价比高

国产高端型号,功能全面,采购与维护成本具有竞争优势。


实验部分———

1.仪器与试剂

TOC-5000 RD 总有机碳分析仪

碳酸氢钠(优级纯)

邻苯二甲酸氢钾(基准试剂)

磷酸(优级纯)

无水碳酸钠(基准试剂)

盐酸(优级纯)

2.分析条件

TOC主机载气流量:180.0 ml/min

催化剂:钯金

TOC主机载气压力:0.200 Mpa

载气:氧气(≥99.995%)

TC燃烧管温度:680 ℃

检测器:非分散红外检测器(NDIR)

样品前处理

样品测试:调用软件中NPOC标准曲线,设置样品300自动稀释2倍,样品800、1000自动稀释10倍,上机测试有机碳含量。

加标回收实验:各样品分别吸取30ml后,加入其质量0.5~2倍的有机碳溶液。


结果与讨论———

1.  标准曲线

(1)NPOC标准曲线

称取邻苯二甲酸氢钾制备成浓度为1000mg/L的有机碳标准贮存液,再将其用纯水稀释至100mg/L的无机碳标准使用液后,使用仪器六通阀自动稀释功能,绘制NPOC标准曲线。


表1. NPOC标准曲线

图1. NPOC标准曲线如上图1所示,NPOC标准曲线的线相关系数R2=0.9998。


2. 测定结果:


每个样品重复测试3次,样品测试谱图如图2-4所示。

图2.  直接法测样品1 NPOC谱图                           图3.  直接法测样品2 NPOC谱图

图4.  直接法测样品3 NPOC谱图

表2 直接法测试过氧化氢中TOC结果


结论

在本文中,使用总有机碳分析仪TOC-5000 RD,分别采用直接法(NPOC)测试镀膜溶液中总有机碳含量。实验测得各样品的有机碳含量分别为127.8911mg/L、385.3350mg/L、493.2161mg/L,加标回收率分别为106.10%、105.97%、94.19%。

由此可见,针对镀膜溶液采用直接法测有机碳含量较为合适。

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